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MOS管的损耗有哪些呢
1、开关损耗=开通损耗+关断损耗开通损耗：MOS开通期间，既有电流，也有电压，存在开通损；耗关断损耗：MOS关断期间，既有电流，也有电压，存在关断损耗发生在开和关期间，与管子的开关频率成正比…
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2023-10-16
世昌隆电子产品线之MOS的优点
MOS管：电压控制型器件，管子的导通只关注电压的阀值。1、GS之间有一个电容；2、先对Cgs电容进行充电，充到阀值后，管子导通；3、充电过程中是消耗电流和功耗的。当充电完成后，电容充满，则无电流。无电流则无…
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2023-10-15
关于捷捷微MOS和三极管对比
捷捷微MOS和三极管对比：1、电极：MOS：N管，P管（D极 S极 G极）BJT：PNP管，NPN管(C极 E极 B极) 注：D极（即漏极） S极（即源极） G极（即栅极） C极（即集电极…
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2023-10-14
世昌隆电子总结的MOSFET五种损坏原因
MOS管常见的5种损坏原因：1、雪崩破坏如果在漏极-源极之间外加超出器件额定VD SS的浪涌电压，而且达到击穿电压V（BR）DSS(根据击穿电流其值不同)并超出一定的能量后就发生破坏的现象，在介质负载的开关…
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2023-10-13
【电学基础】1-直流电与交流电
直流电与交流电的区别及使用范围：1、交流电是大小和方向随时间周期性变化的，直流电不变；2、直流电有正负极，交流电没用；3、交流电利于远距离传输，变压但是无功较多（电感）较多，直流电损耗小，但是降压较为不便…
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2023-01-10
薄膜电容器选型技术参数之四：等效串联电阻ES…
等效串联电阻是电容的欧姆电阻。它不仅包括接触电容(Rs)，还包括其它如介质极化和漏电流引起的电阻。这些也被定义为损耗因数。根据tan d的定义，等效串联电阻可表示为：等效串联电阻不仅和电介质的特性有关，还和电…
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2022-08-14
薄膜电容器选型技术参数之三：额定电容值CR
电容容值是电容器每单位电压下可储存的电荷量。电容器的额定电容值CR是标注在电容器上的设计电容值。电容容值根据IEC 60068-1:2013，在标准条件下测量。测量之前，电容器必须存储在测量条件下，直到整个电容器达…
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2022-08-14
薄膜电容器选型技术参数之二：峰值电流
最大峰值电流I (A) = C (μF) · dV/dt (V/μs)。dV/dt值和脉冲特性K0在每个产品规格书予以提供。K0用于评估脉冲产生的热能。这些dV/dt和K0参数值仅对单个脉冲有效，即一个脉冲的产生的热能(Q)在第二个脉…
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2022-08-14
薄膜电容器选型技术参数之一：降额
随着电容工作温度T的升高，电容的耐压需要根据规格书上的要求进行降额。因此，有可能需要选择更高耐压等级的电容。例如，对VR = 800 V DC的电容，根据下图，从85 ºC开始需要降额:>如果电容器的工作温度T…
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2022-08-14
台湾AID爱得薄膜电容基本技术知识二：热分…
电容器承受持续(正弦)交流电压VRMS或交流电流IRMS的能力和频率以及其他各种因素有关。在整个频率范围内，根据电压限制因素的不同，可以分为三个区域，从受电晕放电限制的区域A，到受电容接触面能承受的最大…
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2022-05-13

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