1. 早期发现阶段

• 1873 年：弗雷德里克・格思里发现加热的金属阴极有单向导电特性，表现为加热接地金属盘时，旁边带正电的验电器会失电，带负电的则不会。

• 1880 年：爱迪生也发现类似现象（后称 “爱迪生效应”），当时未知晓格思里的研究。

2. 真空二极管发明

• 1904 年：英国物理学家弗莱明依据 “爱迪生效应”，发明世界第一只电子二极管（真空电子二极管）并在英国申请专利；其靠阴极热发射电子到阳极导通，正负极接反不导电，但存在体积大、需预热、功耗大、易破碎的问题。

3. 半导体二极管起源

• 1874 年：卡尔・布劳恩发现部分金属硫化物（半导体）与金属接触后有单向导通特性，制成首个固态半导体检波器，为肖特基二极管雏形。

• 1940 年：贝尔实验室科学家通过调控半导体掺杂杂质类型与浓度、选合适费米能级的金属材料，制备出性能更优的肖特基二极管、pn 结二极管。

4. 半导体二极管发展

• 1947 年：贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿在半导体二极管中增加一个电极，形成集电极、基极、发射极三极结构，制成首个半导体晶体管；该发明为现代半导体电子技术奠基，也推动二极管技术进一步发展。

5. 后续发展

•  20 世纪 80 年代后：随半导体器件制作工艺进步，肖特基势垒二极管逐步走向成熟。

• 2007 年：中国科学院物理研究所胡江平与香港科技大学戴希等，理论上提出利用电子、空穴掺杂超导体构造约瑟夫森结，实现超导二极管效应（即约瑟夫森二极管）。

• 2022 年：中国科学院金属研究所科研人员提出光控二极管，通过异质结设计与构筑，使器件获得新型光电整流特性。