IGBT，即绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor）是结合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；

        IGBT也是有三个引脚的器件，三个引脚分别是：栅极G，集电极C极和发射极E极。IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合体，IGBT具有 MOS 的输入特性和BJT 管的输出特性。与 BJT 或 MOS管相比，绝缘栅双极型晶体管 IGBT 的优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益，以及更高的工作电压和更低的 MOS 管输入损耗。IGBT 主要用于放大器，用于通过脉冲宽度调制 (PWM) 切换/处理复杂的波形。

        IGBT（绝缘栅双极性晶体管）本质上就是一个电子开关，当我们给G极高电平，它就导通了，相当于开关闭合；当我们给G极低电平，它就会截止，相当于开关断开；看到G极，C极，E极大家是不是感到非常熟悉？是的，G极，即是MOS管的栅极G极；C极和E极分别是三极管的集电极C极和发射极E极，因为IGBT（绝缘栅双极性晶体管）内部结构是结合了MOS管的低驱动电流特性，三极管低导通电阻这些优势，MOS管是电场驱动器件，当MOS管导通时，它的G极、S极几乎相当于断路，电流极小，所以说MOS管的驱动电流低；三极管饱和导通时，它的C极、E极电阻很小，所以说三极管的导通电阻低，所以 IGBT（绝缘栅双极性晶体管）的等效电路符号是集MOS管和三极管两者于一身，当我们给G极低电平时，IGBT就截止，但G极高电平时，MOS管先导通，然后三极管的C极、E极形成了电流，所以IGBT就导通了，这个就是IGBT的工作原理。

IGBT 是电压控制器件，因此它只需要一个很小的电压到栅极即可保持导通状态。

由于是单向器件， IGBT 只能在从集电极到发射极的正向切换电流。IGBT的典型开关电路如下所示，栅极电压 VG施加到栅极引脚以从电源电压 V+ 切换电机 (M)。电阻 Rs 大致用于限制通过电机的电流。

导通时间（ t on）：通常由延迟时间 (t dn ) 和上升时间 (t r ) 两部分组成。

延迟时间 （t dn )：定义为集电极电流从漏电流 ICE上升到 0.1 IC（最终集电极电流）和集电极发射极电压从 VCE下降到 0.9VCE的时间。

上升时间 （t r )：定义为集电极电流从 0.1 IC上升到 IC以及集电极-发射极电压从 0.9V CE下降到 0.1 VCE的时间。

关断时间（ t off）:由三个部分组成，延迟时间 (t df )、初始下降时间 (t f1 ) 和最终下降时间 (t f2 )。

延迟时间 （t df )：定义为集电极电流从 I C下降到 0.9 I C并且 V CE开始上升的时间。

初始下降时间 （t f1 )：是集电极电流从 0.9 I C下降到 0.2 I C并且集电极发射极电压上升到 0.1 V CE的时间。

最终下降时间 （t f2 )：定义为集电极电流从 0.2 I C下降到 0.1 I C并且 0.1V CE上升到最终值 V CE的时间。

那么IGBT的优缺点总结有哪些呢，如下：

1、先讲优点部分，IGBT作为一个整体兼有BJT和MOS管的优点；

A、具有更高的电压和电流处理能力；

B、具有非常高的输入阻抗；

C、可以使用非常低的电压切换非常高的电流；

D、电压控制装置，即它没有输入电流和低输入损耗；

E、栅极驱动电路简单且便宜，降低了栅极驱动的要求；

F、通过施加正电压可以很容易地打开它，通过施加零电压或稍微负电压可以很容易地关闭它；

G、具有非常低的导通电阻；

H、具有高电流密度，使其能够具有更小的芯片尺寸；

I、具有比 BJT 和 MOS 管更高的功率增益；

J、具有比 BJT 更高的开关速度；

K、可以使用低控制电压切换高电流电平；

L、由于双极性质，增强了传导性；

M、更安全。

2、缺点：

A、开关速度低于 MOS管；

B、单向的，在没有附加电路的情况下无法处理AC波形；

C、不能阻挡更高的反向电压；

D、比 BJT 和 MOS管 更昂贵；

E、类似于晶闸管的 PNPN 结构，它存在锁存问题；

F、与 PMOS 管 相比，关断时间长；

H、类似于晶闸管的 PNPN 结构，它存在锁存问题；

I、与 PMOS 管 相比，关断时间长。

       深圳世昌隆电子有限公司代理江苏捷捷微电子股份有限公司的全系列产品，主要产品类别有：车规MOSFET/车规TVS管/高中低压MOSFET/可控硅/IGBT/光耦/各类二极管/整流桥！