MOS管

从符号上来看，MOS管的D、G、S三个极分别是漏极、栅极和源极，它利用电压来决定漏极与源极的通断，是一种电压控制型元件。如果给栅极一个电压，漏极和源极就会互通，但当栅极电压为零时，漏极与源极就会截止。此外，MOS管的频率可以达到千赫兹到兆赫兹。在大电压的情况下，内阻高只能降低功率，MOS管常用在频率高，电压要求低的电路中，如开关电源、车载充电机等。

三极管

IGBT

IGBT是MOS管和三极管的综合体，也是电压控制型半导体。它是通过电压控制集电极与发射极的通断频率。IGBT无法做到MOS管的超高频率，但在大电压下内阻不变输出功率大，新能源汽车中电机控制器，空调压缩机内部用的就是IGBT半导体。

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