三极管，MOS管和IGBT这三种半导体功率器件到府工有哪些区别呢，下面具体从两方面来阐述：

A、  符号：

三极管有三个极，基极B，集电极C，发射极E；

MOS管也有三个极，栅极G，源极S，漏极D；

IGBT也是三个极，从图上可以看到，IGBT，它是三极管和MOS管复合起来的，所以也有栅极G，集电极c,发射极e;

B、  应用：

三极管是一个电流控制型的，主要是来放大电流的，就是通过基极b电流来控制集电极c的电流，有三种状态，导通，饱和及放大，所以三极管能够作为开关，也能作为放大元件；

MOS管是电压控制型的，就是他通过栅极G的电压来控制漏极D和源极S的沟通，也是有三状态，导通，截止和放大；

都有这三种状态，那怎么选择呢？MOS管一般应用在电流比较大，功率比较大，而且频率比较高的场合(比如开关电源)，而三极管是用来控制电流，功率比较小的一些器件上一般是信号的放大，主要用在弱电上，三极管相比MOS管功耗比较大；

IGBT刚好是三极管和MOS管复合起来，结合他们两个的优点，通过电压来控制电流，IGBT只能用作开关作用，它没有放大功能，主要用在大电流，大电压，大功率上，主要是用在强电上，比如逆变器，变频器；