根据双向可控硅的结构我们知道，可控硅的触发主要依赖于门极电流，当门极电流足够大时，可控硅才会导通。然而，在第四象限，门极电流的方向与主管极电流方向相反，这会导致触发机制失效，从而引发假触发或不稳定导通。

第四象限触发需要更高的门极电流（IGT）和更长的维持时间，但门极电路的dI/dt承受能力较低。若负载具有高dI/dt特性（如冷灯丝），门极可能因电流变化过快而退化，进一步加剧误导通风险。为了解决这个问题，通常建议避免使用可控硅的第四象限，以防止设备损坏和不稳定的工作状态，因此，双向可控硅早期的产品都是四象限的，为避免第四象限的误导通，用特珠工艺处理屏蔽了第四象限，出现了更为稳定可靠的三象限可控硅。

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