
三象限可控硅仅支持三个触发象限,通过工艺屏蔽了容易误触发的第四象限,显著提升抗干扰性和可靠性;四象限可控硅支持全部四个触发象限,成本更低但稳定性相对较弱。
1、四象限可控硅触发原理
一象限:T2端为正电压,门极G电流为正;
二象限:T2端为正电压,门极G电流为负;
三象限:T2端为负电压,门极G电流为负;
四象限:T2端为负电压,门极G电流为正。
触发灵敏度在四象限最低,实际应用中通常避免使用该模式。
2、三象限可控硅触发原理
仅支持象限Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ触发,通过半导体工艺完全屏蔽四象限的触发能力。
此外,从典型应用角度,三象限的可用于电机、变压器等感性负载,四象限的可用于电阻负载、电热设备。
从控制角度,三象限的可直接连接微控制器驱动,四象限的需外围保护电路。
从成本角度,三象限的比同级四象限贵一点,四象限的是经济型解决方案。
从电压变化耐量(dv/dt)角度,三象限的普遍达到200-1000 V/μs,四象限的通常低于50 V/μs。
从电流变化耐量(di/dt)角度,三象限的可达100 安/μs,四象限多在20-50 安/μs范围。
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