一、定义

肖特基（Schottky）通常指肖特基二极管（Schottky Diode），其核心特性基于金属与半导体接触形成的肖特基势垒（Schottky Barrier）。

二、关键特性

1. 低正向压降（0.15~0.45V）

• 原理：金属（如铂、钨）与N型半导体接触时，电子从半导体流向金属，形成势垒，但势垒高度低于PN结二极管（硅PN结约0.7V）。

• 优势：适用于高频、低压电路（如开关电源、射频检波），减少能量损耗。

• 对比：普通硅二极管正向压降更高（0.6~1.2V），肖特基效率更优。

2. 超快开关速度

• 无少数载流子存储效应：肖特基二极管是多数载流子（电子）器件，反向恢复时间（trr）极短（可低至纳秒级）。

• 应用场景：高频整流（MHz以上）、数字电路钳位、高速开关电源。

• 限制：反向漏电流较大，高温下更显著。

3. 高温敏感性

• 反向漏电流问题：势垒高度随温度升高而降低，导致反向电流指数级增加（需注意散热设计）。

• 材料改进：碳化硅（SiC）肖特基二极管可耐受更高温（>200℃），适用于汽车电子、工业设备。

4. 低结电容

• 金属-半导体结特性：结电容小（通常几皮法），适合高频信号处理（如微波混频器、射频应用）。

• 与PIN二极管对比：PIN二极管电容更大，但可承受更高反向电压。

5. 耐压与电流限制

• 低反向击穿电压：通常<100V（硅基肖特基），高压场景需选用SiC或GaN肖特基（可达数千伏）。

• 电流能力：大电流型号（如TO-220封装）可达数十安培，但需平衡散热与效率。

三、肖特基与其他二极管的对比

四、应用场景建议

• 推荐使用：开关电源、便携设备、射频电路、高速数字信号、新能源汽车、工业电源。

• 避免场景：高压反向（>100V）或高温无散热设计的场合。

肖特基二极管的特性使其成为高效率、高频应用的理想选择，但需根据具体需求权衡电压、温度及漏电流限制综合选型。