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AFN2306AE
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20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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     20V/1.8A,RDS(ON)=280mΩ@VGS=4.5V 

     20V/1.5A,RDS(ON)=340mΩ@VGS=2.5V 

     20V/1.2A,RDS(ON)=750mΩ@VGS=1.8V 

     Super high density cell design for extremely low RDS (ON) 

     Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 

     ESD Protected 

     SOT-23 package design

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