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AFP3405AS
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30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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     -30V/-4.2A,RDS(ON)=34mΩ@VGS=-10V 

     -30V/-3.2A,RDS(ON)=48mΩ@VGS=-4.5V 

     Super high density cell design for extremely low RDS (ON) 

     SOT-23 package design

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